应用举例:电荷分离

CdSe与RhB的超快电荷分离

        上图:电子从CdSe迁移到RhB的时间为12 ps,从时间分辨光谱上可以观察到CdSe+和RhB-的生成,超快的电子迁移,有利于多激子效应。
        J. Am. Chem. Soc., 2007, 129 (49), pp 15132–15133


多激子效应 (MEG):

硅半导体的多重激子效应(MEG)
        曲线的上升段是多激子效应 (MEG),衰减段是俄歇复合;
        Eg=1.2 eV,0.85 eV (1.46 μm)探测,量子产率为1.9 (9.5 nm 硅纳米颗粒)和1.5 (3.8 nm 硅纳米颗粒)。

        Nano Lett., 2007 Vol 7, No. 8, 2506-2512


带内弛豫与电子转移:

CdSe的带内弛豫

        泵浦能量(3.2 eV)直接激发P-P跃迁,Eg(p-p)=2.82 eV(440 nm),处于p轨道的电子发生带内弛豫(Intraband Relaxation);
        在0.2 - 1 ps重分布至s轨道,440 nm能级失活, 同时530 nm(Eg(s-s) =2.34 eV)被激活 (上图左);
        >1 ps, 530 nm和440 nm同步失活(上图B), CdSe --> TiO2电子迁移,530 nm加速失活 (上图C)。

        J. Am. Chem. Soc., 2006, 128 (7), pp 2385–2393


有机发光材料的激发态动力学

有机发光材料的激发态动力学,AuPCy3飞秒瞬态吸收光谱

J. Phys. Chem. Lett. 2010, 1, 1205–1211


非线性光吸收:

非线性光吸收(激发态吸收)

        In/Ga 金属中心配位的phthalocyanine,750 nm 泵浦激发S0跃迁至S1-n和T1-n能级;
        <750 nm 波长区域的瞬态吸收与S0跃迁无关;是S1 或T1激发态吸收 (excited state absorption) ESA,以及系间窜越。

        Materials Chemistry and Physics 138 (2013) 270-276
       注:部分图被标注,与原文不同。